由UNIST能源与化学工程学院的李俊熙教授领导的深入研究小组提出建议又这样的的和新物理现科技之门像科技之门，该现像届科技之门时将指甲大小的存储芯片的存储容量大大增加1,000倍。
深入研究小组对此，这将为或者集成到硅技术方面里的没能致密的逐单元铁电开关设备提供全面意想不出的一次机会。铁电随机存取存储器（FeRAM或FRAM）方式极化现像来存储各种信息，此外电偶极子（如铁电内部的NS磁场）被外部电场对准。
FeRAM已更成替代现有DRAM或闪存的下一代存储半导体，本来它慢的更快，功耗更低，以上在电源关闭后仍能保留存储的表现数据。她们，FeRAM的二是缺点更成是存储容量有限。
本来，目的大大增加其存储容量，有必要方式减小芯片尺寸来集成尽本来多的设备。应该铁电体，物理尺寸的减小加剧 极化现像的消失，该极化现像有助于将各种信息存储在铁电材料中。
它是本来铁电畴的行成（发生过自发极化的微小区域）以上才能才能成千上万个原子。本来，目前仍然对FRAM技术方面的深入研究集中在减小域大小的不仅长期保持存储容量。
图1：较为目前仍然（左）和新（右）FeRAM的示意图Lee教授及其深入研究小组会发现，方式向冠以铁电氧化Ha（HfO2）的半导体材料中添加一滴电荷，才能才能被控制四个单独的原子来存储1位表现数据。
这项开创性的深入研究颠覆了现以上范例，该范例数量最多只以上能数千个原子的组中存储1位表现数据。正确以及使用后，半导体存储器才能才能存储500 Tbit / cm2，是目前仍然可用闪存芯片的1,000倍。
该深入研究小组真心希望，她她们会发现将为开发半纳米制造工艺技术方面铺平道路，这应该半导体其他行业应该又一项开创性的成就，本来半导体其他行业也已面临着目前仍然10纳米技术方面的极限。
Lee教授说：“才能才以上能单个原子中存储表现数据和新技术方面是地球上数量最多级的存储技术方面，它不出分裂原子。届时该技术方面届时助于慢的初步缩小半导体尺寸的持续努力。”
Lee教授说：“ HfO2在当今的存储晶体管中很常用，方式应用这样的的技术方面，届时将表现数据存储容量扩大1000倍。”这项革命性会发现已于2020年7月2日发表在《科学》杂志上。
才能才以上能单个原子中存储表现数据的“科学”杂志也已发表了该论文，本来届时刺激半导体其他行业的飞跃性创新。最新会发现还本来为开发半纳米制造工艺技术方面铺平道路，这应该半导体其他行业应该又一项开创性的成就，本来半导体其他行业目前仍然正面临着10纳米制程工艺技术方面的极限。